Gracias por visitar nature.com.Está utilizando una versión de navegador con soporte limitado para CSS.Para obtener la mejor experiencia, le recomendamos que utilice un navegador más actualizado (o desactive el modo de compatibilidad en Internet Explorer).Mientras tanto, para garantizar un soporte continuo, mostramos el sitio sin estilos ni JavaScript.Scientific Reports volumen 5, Número de artículo: 9717 (2015) Citar este artículoEste estudio examinó sistemáticamente el mecanismo de interacción de la luz en los reflectores omnidireccionales (ODR) de triple capa de zafiro/MgF2/Al y sus efectos en la potencia de salida de luz en diodos emisores de luz ultravioleta cercana (NUV-LED) con el ODR.La potencia de salida de luz de los NUV-LED con la estructura ODR de triple capa aumentó con la disminución de la rugosidad de la superficie de la parte posterior de zafiro en el ODR.El modelado teórico de la superficie rugosa sugiere que la dependencia de la reflectancia de la estructura ODR de triple capa con la rugosidad de la superficie se puede atribuir principalmente a la absorción de luz por las nanoestructuras de Al y al atrapamiento de la luz dispersa en la capa de MgF2.Además, la simulación de trazado de rayos basada en el modelado teórico mostró una buena concordancia con la reflectancia medida de la estructura ODR en modo difuso.Los LED basados ​​en AlGaN en el rango del ultravioleta cercano (NUV) son atractivos para la desodorización fotocatalítica en acondicionadores de aire y refrigeradores, así como para identificar billetes falsos1.En particular, la reproducción del color debido a las altas eficiencias de conversión de los fósforos típicos en el espectro UV ha atraído un gran interés para la fabricación de LED blancos con chips NUV-LED basados ​​en AlGaN para iluminación blanca2,3,4,5.Por otro lado, los LED UV basados ​​en AlGaN normalmente sufren de una eficiencia cuántica externa (EQE) muy baja debido a la baja eficiencia de extracción de luz causada por la absorción epitaxial de la luz UV.Además, las fluctuaciones reducidas en la composición del indio en los pozos cuánticos de InGaN con un pequeño contenido de indio debilitan la localización del portador en estados de energía localizados, lo que a su vez aumenta la posibilidad de que el portador quede atrapado en los centros de recombinación no radiativa por el aumento de la difusión del portador en el plano.Para superar estos obstáculos en los LED UV basados ​​en AlGaN, las estructuras de dispositivos nobles, como el diseño de LED en forma de chip6, el cristal fotónico7, el reflector Bragg distribuido (DBR)8, el reflector omnidireccional (ODR)9, la textura de la superficie reduce la reflexión de la luz interna y la superficie. plasmon10,11, han sido propuestos.En particular, ODR, como los esquemas de triple capa basados ​​en Ag y Al en la parte posterior del chip LED, se han utilizado para aumentar la extracción de luz.Por otro lado, la reflectancia de un reflector basado en Ag disminuye rápidamente en la región UV.Por lo tanto, se prefieren los reflectores basados ​​en Al debido a la reflectividad relativamente alta, la banda ancha de parada y las características de reflexión omnidireccional en el rango de longitud de onda UV.El índice de refracción de una capa dieléctrica en la estructura ODR debe ser lo más bajo posible.Las películas de MgF2, que tienen un índice de refracción bajo en el rango de 1,34 a 1,39, se han utilizado como capa dieléctrica debido a su alta transparencia óptica en un amplio rango de longitudes de onda, desde rayos UV de 120 nm en el vacío hasta rayos infrarrojos de 900 nm, así como como buena adherencia y alta durabilidad.Recientemente, se informó que la eficiencia de extracción de luz de los LED basados ​​en GaN podría mejorarse significativamente utilizando ODR basados ​​en Al12,13.Por otro lado, dichos estudios no se ocuparon de la influencia de las propiedades ópticas de los LED según la rugosidad de la interfaz dieléctrico-metal en el sistema ODR de la parte posterior.Comprender el mecanismo detallado de la interacción de la luz en el esquema ODR es importante para controlar y maximizar la mejora de la extracción de luz en los LED.Este estudio examinó sistemáticamente el mecanismo de interacción de la luz en el esquema ODR de triple capa de zafiro/MgF2/Al en términos de la rugosidad de la interfaz con la rugosidad de la superficie de la parte posterior del zafiro.La rugosidad de la superficie del reverso del zafiro afectó críticamente la eficiencia de extracción de luz del esquema ODR y debe minimizarse para mejorar la extracción de luz de manera efectiva.Los chips AlGaN/InGaN MQW NUV-LED se fabricaron sobre sustratos de zafiro del plano c y luego el sustrato de zafiro se diluyó a 110 μm mediante pulido y lapeado en la parte posterior utilizando una variedad de lechadas con diferentes tamaños de diamante de 1, 3 y 5 μm, respectivamente. , para controlar la rugosidad de la superficie del reverso del zafiro.Además, se utilizó pulido mecánico químico (CMP) para hacer una superficie similar a un espejo en la parte posterior de la oblea de zafiro.Posteriormente, las capas de MgF2 (130 nm) y Al (200 nm) se depositaron conforme en la superficie posterior de zafiro utilizando un evaporador de haz de electrones para formar una estructura ODR.Finalmente, la oblea se cortó en dados en chips separados mediante trazado con láser y rotura.La Figura 1 muestra un diagrama esquemático del chip NUV-LED con MgF2/Al ODR.Diagrama esquemático de un LED de GaN con una estructura reflectora omnidireccional de MgF2/Al sobre una superficie de zafiro rugosa.La rugosidad de la superficie de los reversos de zafiro preparados por lapeado en la suspensión con varios tamaños de diamantes (1, 3 y 5 μm) (consulte la Información complementaria para conocer las características de la rugosidad de la interfaz y MgF2) y por CMP, se examinó mediante AFM y escaneo láser confocal.La Figura 2 muestra imágenes AFM de la parte trasera de zafiro con un área de escaneo de 2 × 2 μm2.La rugosidad de la raíz cuadrada media (RMS) fue de 3,3 Å para CMP y 53,8 Å (Slurry_1 μm), 99,9 Å (Slurry_3 μm) y 160,2 Å (Slurry_5 μm) para tamaños de suspensión de 1, 3 y 5 μm, respectivamente.De manera similar, el escaneo láser confocal de la parte posterior de zafiro se realizó con un área de escaneo de 125 × 125 μm2 en función de los tamaños de la suspensión.La rugosidad promedio (Ra) fue de 60,0 Å (Slurry_1 μm), 80,0 Å (Slurry_3 μm) y 130,0 Å (Slurry_5 μm) para varios tamaños de suspensión.El valor RMS normalmente es más alto que el de Ra, que es el promedio aritmético de los valores absolutos en la ordenada del perfil de rugosidad y Ra es la medida de rugosidad superficial efectiva comúnmente adoptada en la práctica general de la ingeniería.Por lo tanto, este estudio empleó el valor Ra del escaneo láser confocal en el siguiente trabajo.Imágenes AFM de superficie de las partes traseras de zafiro preparadas por (a) CMP y por lapeado en un tamaño de suspensión de (b) 1 μm, (c) 3 μm y (d) 5 μm, respectivamente.La Figura 3 muestra las curvas de potencia-corriente (LI) de salida de luz de los NUV-LED basados ​​en GaN con y sin MgF2/Al ODR.La potencia de salida de luz de los LED con ODR fue mayor que la de los NUV-LED convencionales sin ODR.La Fig. 3 también muestra que la potencia de salida de los LED con ODR aumentó al disminuir la rugosidad de la superficie del zafiro con mejoras relativas del 21,5 % (Slurry_5 μm), 25,5 % (Slurry_3 μm), 26,6 % (Slurry_1 μm) y 30,9 % (CMP ), en comparación con NUV-LED convencional bajo una corriente directa de 60 mA.Vale la pena señalar que los NUV-LED con rugosidad RMS de 3,3 Å por CMP mostraron la potencia de salida más alta (20,6 mW), mientras que aquellos con rugosidad RMS de 160,2 Å por tamaño de suspensión de 5 μm produjeron la potencia de salida más baja (18,1 mW) menos de 60 mA de corriente directa entre los LED con estructura ODR.Estos resultados sugieren que la potencia de salida óptica de los NUV-LED basados ​​en GaN con una estructura ODR está influenciada significativamente por la rugosidad de la superficie de la parte posterior del zafiro.Curvas LI de NUV-LED basados ​​en GaN con y sin la estructura MgF2/Al ODR en varias partes traseras de zafiro con diferentes rugosidades superficiales.La reflectancia de la estructura MgF2/Al ODR se midió utilizando un Varian Cary 5000 UV-Vis-NIR a través del lado opuesto del zafiro con doble pulido.El sistema de esfera integradora fue diseñado para recolectar todos los fotones difundidos de una superficie sólida.La Figura 4 muestra una reflectancia del 92,3 % (CMP), 76,9 % (Slurry_1 μm), 76,3 % (Slurry_3 μm) y 73,4 % (Slurry_5 μm) a 385 nm en modo difuso, respectivamente.Estas observaciones concuerdan bien con la tendencia de los datos de LI [Fig.3] en el sentido de que la potencia de salida de los LED y la reflectancia de la estructura ODR aumentan al disminuir la rugosidad de la superficie de la parte posterior de zafiro.Por lo tanto, la rugosidad de la superficie de la parte posterior de zafiro en la estructura ODR de zafiro/MgF2/Al juega un papel importante en la determinación de la reflectancia de la estructura ODR y la potencia de salida de luz de los NUV-LED basados ​​en GaN.La reflectancia frente a la longitud de onda de la estructura MgF2/Al ODR depositada en varios reversos de zafiro con diferente rugosidad superficial.Para comprender las medidas observadas, realizamos un modelo teórico de la superficie rugosa de la parte posterior del zafiro para investigar la interacción de la luz en el ODR de triple capa de zafiro/MgF2/Al.En primer lugar, se calcularon la absorción (Qab) y la eficiencia de dispersión (Qsc) para determinar la relación entre una única nanopartícula y un fotón.En segundo lugar, se empleó la teoría de Maxwell-Garnett para el análisis cuantitativo en estructuras capa por capa.Por último, se realizó una simulación de trazado de rayos Monte Carlo, basada en los resultados del modelado teórico, para comparar la reflectancia calculada y medida de la estructura ODR en modo difuso.En este estudio, asumimos que la superficie rugosa de la parte trasera del zafiro podría considerarse como una capa homogénea virtual compuesta por colecciones de nanopartículas.Normalmente, las propiedades de pérdida de energía óptica y de electrones de los coloides se pueden modelar de forma fiable mediante una superficie ordenada de esferas metálicas con una fracción de relleno adecuada a la rugosidad de la superficie14.Esto sería adecuado en una investigación de la interacción óptica entre una superficie rugosa y un fotón.Las interfaces rugosas de zafiro/MgF2 y MgF2/Al podrían configurarse como una capa de partículas de MgF2 y una capa de partículas de Al, respectivamente.La nanopartícula metálica de Al (MNP) es un reflector intermedio que mejora el campo cercano y la sección eficaz de dispersión.Antes de que se pueda abordar el nivel de matriz de nanopartículas, se debe manejar la relación de interacción entre una sola nanopartícula y el fotón, ya que es razonable analizar la matriz de nanopartículas en función de la extensión de la interpretación de una sola nanopartícula.En el modelo MNP único, Qab y Qsc se calcularon utilizando la teoría de Mie, donde Qab y Qsc son las proporciones de su sección transversal total respectiva a la sección transversal física de la partícula.La teoría de Mie es una teoría general de la dispersión de la luz por una partícula esférica15,16.Cuando el radio r de una partícula es mucho menor que la longitud de onda λ de la luz (es decir, 2πr ≪ λ), la sección transversal de dispersión de una partícula varía con r6, mientras que la sección transversal de absorción varía con r3.Por lo tanto, para partículas muy pequeñas, la absorción es más importante que la dispersión.Además, cuando el radio de MNP es mucho más pequeño que la longitud de onda incidente, se debe considerar un modelo de resonancia de plasmón superficial localizado (LSPR) para interpretar la interacción entre el fotón y MNP17.Los LSPR son las oscilaciones colectivas de carga de electrones en nanopartículas metálicas que son excitadas por la luz.Presentan dispersión y absorción mejoradas en la longitud de onda de resonancia.El modo LSPR depende en gran medida de las características de extinción de las estructuras MNP, como las funciones dieléctricas del metal y los materiales circundantes, el tamaño, la forma y la densidad.La figura 5 muestra el Qab y el Qsc calculados de las nanopartículas de MgF2 y Al, respectivamente.El tamaño de Ra que generó un pico de mejora de absorción importante por el modo LSPR fue de aproximadamente 0,07 μm, pero es importante considerar las eficiencias en el área de la cola con valores relativamente pequeños.La Fig. 5 también muestra que la absorción y la dispersión rara vez se generan en la interfaz de zafiro-MgF2 en el rango de los valores de Ra calculados.Por otro lado, la absorción y la dispersión en la interfase MgF2-Al aumentaron con el aumento del diámetro de las partículas y la principal interacción es la absorción inducida por LSPR en el área de la cola.El efecto de dispersión aumentó ligeramente sobre un diámetro de partícula de 0,01 μm.Estos resultados se pueden atribuir a que la absorción y la dispersión debidas a la LSPR no se producen en una partícula dieléctrica, ya que rara vez se genera una oscilación de plasma en la partícula dieléctrica, lo que da como resultado una absorción y una dispersión mucho menores para la partícula dieléctrica de MgF2 en el zafiro-MgF2. que la partícula metálica Al en la interfaz MgF2-Al, como se muestra en la Fig. 5. Esto sugiere que el efecto de absorción y dispersión en la interfaz MgF2-Al podría estar relacionado con la potencia de salida de luz de los NUV-LED con MgF2/ Al estructuras ODR.Eficiencias calculadas de absorción y dispersión de nanopartículas individuales de MgF2 y Al.A continuación, se calcularon los índices de refracción efectivos con base en la teoría del medio efectivo (EMT) de Maxwell-Garnett, ampliada por Polder y Van Santen para realizar análisis cuantitativos de las características ópticas18,19,20,21,22.La aproximación de Maxwell Garnett es un método ampliamente utilizado para calcular las propiedades dieléctricas a granel de materiales no homogéneos.En la teoría del medio efectivo, se supone que el material no homogéneo está compuesto por partículas de inclusión esféricas incrustadas en un material huésped, y se supone que ambas son isotrópicas y responden linealmente a la luz incidente22,23.Se implementó una estructura de 5 capas para obtener una correcta interpretación de las eficiencias de absorción y dispersión.Como se muestra en el recuadro de la Fig. 6, se asumió que la rugosidad de la interfase zafiro-MgF2 consistía en una capa a granel de MgF2 y un arreglo de partículas de MgF2 y la rugosidad de la interfase MgF2-Al consistía en una capa a granel de Al y un arreglo de partículas de Al, que es un buen enfoque para una interpretación más correcta de la rugosidad de la interfaz zafiro-MgF2 y MgF2-Al.El enfoque podría usarse para definir las características ópticas de las capas virtuales, como la matriz de partículas de MgF2 y la matriz de partículas de Al.Se consideró la fórmula de Maxwell-Garnett con un factor de llenado de volumen (FF), que se define como la relación del volumen de partículas ocupadas al volumen con cualquier espesor y el índice de la capa media efectiva (FF = Vpartícula/Veff).Además, las constantes ópticas complejas de la capa virtual calculadas a través de EMT se reflejaron en las ecuaciones de Fresnel, que se utilizaron para definir las características ópticas de cada capa real en la simulación.Después de obtener la transmitancia y la reflectancia de la ecuación de Fresnel, se calculó el coeficiente de extinción, después de lo cual el coeficiente de extinción se dividió en absorción y dispersión.La relación de dispersión y absorción se aplicó a la relación obtenida de la teoría de Mie.Eventualmente, estos procedimientos pueden reflejar el valor real en una simulación de trazado de rayos.La Figura 6 muestra que la eficiencia en el sistema de 5 capas se multiplica por diez, en comparación con el estado de partículas.Además, se muestra que a medida que aumenta el tamaño de partícula, los niveles de eficiencia de dispersión y absorción aumentan con el aumento del tamaño de partícula, lo que es consistente con los resultados obtenidos en el caso de un modelo de partícula única.En la Fig. 6, se muestra que el efecto de absorción es el factor principal, que genera una diferencia de eficiencia de aproximadamente nueve veces, en comparación con la dispersión a Ra = 13 nm y la absorción en función de Ra aumentada linealmente a 20 nm, similar al caso de un modelo de partícula única.La eficiencia de dispersión aumentó ligeramente cerca de Ra~10 nm, aunque la eficiencia fue mucho menor que la de absorción.Eficiencia de absorción y dispersión de la matriz de partículas de MgF2 y Al en función de Ra.El recuadro muestra la estructura de 5 capas para obtener una interpretación correcta de la eficiencia de absorción y dispersión.Finalmente, se realizó una simulación de trazado de rayos, basada en los resultados del modelado teórico, para comparar la reflectancia calculada y medida del ODR.En este estudio, se utilizó el método de trazado de rayos Monte Carlo, que es una forma representativa de simular la propagación de la luz en chips LED, para examinar el comportamiento de propagación de la luz de las estructuras ODR de triple capa de zafiro/MgF2/Al.La figura 7 muestra que una cantidad significativa de fotones se puede confinar entre la capa de metal de zafiro y Al mediante un proceso de dispersión en las interfaces rugosas y guiarse en la capa de MgF2, lo que da como resultado una mayor absorción de fotones atrapados por la reflexión interna continua.Tenga en cuenta que la cantidad de reflexión interna no es despreciable.La mayor absorción por reflexión interna en la estructura ODR reducirá la eficiencia de extracción de luz de los LED con ODR.Por lo tanto, la rugosidad de la superficie posterior del zafiro influye de manera crítica en la eficiencia de extracción de luz de los LED con los ODR a través de la dispersión en la interfaz rugosa.La Figura 8 presenta la reflectancia calculada y medida para la estructura ODR de zafiro/MgF2/Al en función de Ra en modo difuso.Como se muestra en las Figs.5 y 6, la eficiencia de absorción aumentó casi linealmente con el aumento del tamaño de las partículas en el modelo de nanopartículas individuales, así como en el modelo de 5 capas, lo que indica una disminución lineal en la reflectancia con el aumento del tamaño.Por otro lado, la reflectancia medida no disminuyó linealmente con el aumento de Ra.Esta discrepancia podría resolverse considerando el factor de llenado de volumen (FF) en la fórmula de Maxwell-Garnett mencionada anteriormente.La reflectancia calculada por trazado de rayos con la consideración de FF mostró una buena concordancia con la reflectancia medida en modo difuso, como se muestra en la Fig. 8. La reflectancia calculada y medida disminuyó de forma no lineal con el aumento de Ra.La disminución no lineal de la reflectancia con Ra podría explicarse de la siguiente manera.La no linealidad se puede dividir en dos secciones;la sección A con una zona de Ra dependiente de FF en el rango de 0 a 9 nm, que muestra una rápida disminución de la reflectancia con Ra y la sección B con una zona dependiente del tamaño en el rango de Ra sobre 9 nm.El valor de FF de la sección A fue mayor que el de la sección B, lo cual se debe a que el valor de FF aumenta al disminuir Ra.Aunque el tamaño de partícula individual es pequeño en la sección A, la densidad (FF) aumenta drásticamente, por lo que aumenta el efecto de absorción.El valor de FF de la sección B es relativamente constante, pero el tamaño de partícula individual aumenta, lo que significa que el efecto de dispersión juega un papel importante en la sección B. Como resultado, los efectos de absorción y dispersión ocurren al mismo tiempo en la sección B. Por lo tanto , la potencia de salida óptica de los NUV-LED con estructuras MgF2/Al ODR disminuye gradualmente con el aumento de la rugosidad de la parte posterior del zafiro, lo que se atribuyó al efecto de absorción inducido por LSPR y al confinamiento de fotones en MgF2 por el efecto de dispersión.Imagen de simulación de propagación de luz de estructuras ODR de triple capa de zafiro/MgF2/Al.El recuadro es una imagen ampliada que muestra la reflexión interna.Reflectancia calculada y reflectancia experimental para la estructura MgF2/Al ODR en función de Ra en el modo difuso.En resumen, hemos investigado el mecanismo de interacción de la luz en el ODR de triple capa de zafiro/MgF2/Al y sus efectos sobre la potencia de salida de luz en los LED NUV con las estructuras ODR depositadas en la superficie posterior de los sustratos de zafiro con varios rugosidad de la superficie.La potencia de salida de luz del NUV-LED con ODR depositado en la superficie de zafiro similar a un espejo mejoró en un 30,9 % en comparación con el LED convencional sin ODR.La rugosidad de la superficie de la parte posterior de zafiro en la estructura MgF2/Al ODR desempeñó un papel importante en la determinación de la reflectancia de la estructura ODR y la potencia de salida de luz de los LED.La dependencia de la reflectancia de la estructura ODR en la rugosidad de la superficie se atribuyó principalmente al efecto de absorción inducido por LSPR y al confinamiento de fotones en MgF2 debido al efecto de dispersión.Las estructuras LED NUV se cultivaron en sustratos de zafiro del plano c mediante deposición de vapor químico orgánico-metal.Se usaron amoníaco, trimetilgalio, trimetilaluminio y trimetilindio como precursores y bisciclopentadienilmagnesio y silano como dopantes.La estructura epitaxial NUV-LED constaba de una capa amortiguadora de GaN de 30 nm de espesor de baja temperatura, una capa de GaN tipo n de 4 μm de espesor, seis pares de Al0.1GaN de 6 nm de espesor/In0 de 3 nm de espesor Múltiples pozos cuánticos de .03GaN, una capa de bloqueo de electrones Al0.25GaN de tipo p de 25 nm de espesor para evitar la fuga del portador de la región activa y una capa de GaN de tipo p de 0,2 μm de espesor.La capa activa de InGaN se hizo crecer a 820 °C bajo 200 Torr con una velocidad de crecimiento de 1 nm/min.Los espesores y las composiciones en las MQW de AlGaN/InGaN se determinaron mediante difracción de rayos X (XRD) usando una fuente de rayos X de Cu Kα.Se empleó un reflectómetro óptico in situ para monitorear la evolución morfológica y las tasas de crecimiento de las capas epitaxiales.Después del crecimiento, se realizó el recocido térmico durante 15 min a 725 ° C en una atmósfera de nitrógeno para obtener una conductividad de tipo p de GaN dopado con Mg.Luego se fabricaron los chips AlGaN/InGaN MQW NUV-LED.Todas las muestras se sumergieron en una solución de H2SO4:H2O2 durante 10 min para eliminar los contaminantes metálicos de la superficie y luego se enjuagaron con agua corriente desionizada.La estructura de la mesa para el chip de 700 × 300 μm2 se formó parcialmente hasta que la capa de contacto de n-GaN quedó expuesta mediante un sistema de grabado por plasma acoplado inductivamente junto con Cl2 y un proceso de fotolitografía estándar.La película delgada de óxido de indio y estaño para el metal p-óhmico se depositó como una capa conductora transparente por deposición catódica y se aleó en una atmósfera de N2 durante 60 s a 500 °C para reducir la resistencia de contacto.El grabado húmedo de ITO se logró mediante el uso de una solución acuosa de HCl con fotoprotector como máscara de grabado.Posteriormente, se depositaron películas de Ti/Al/Ni/Au usando un evaporador de haz de electrones para usar como metales de contacto de tipo p y n y se depositó una capa de SiO2 de 0,12 μm de espesor mediante deposición química de vapor mejorada con plasma para pasivar el pared lateral de la mesa.El sustrato de zafiro se diluyó a 110 μm mediante pulido y lapeado de la parte posterior utilizando una gama de lodos con diferentes tamaños de diamante de 1, 3 y 5 μm, respectivamente, para controlar la rugosidad de la superficie de la parte posterior del zafiro.Además, se usó pulido mecánico químico (CMP) para hacer una superficie similar a un espejo en la parte posterior de la oblea de zafiro después de moler y lapear hasta aproximadamente 120 μm.Las capas de MgF2 (130 nm) y Al (200 nm) se depositaron posteriormente en la superficie posterior del zafiro utilizando un evaporador de haz de electrones a temperatura ambiente para formar una estructura ODR.Finalmente, la oblea se cortó en dados en chips separados mediante trazado con láser y rotura.La reflectancia en la estructura ODR de triple capa de zafiro/MgF2/Al se midió utilizando un sistema Varian Cary 5000 UV-Vis-NIR.Se utilizó una lámpara de xenón que cubría todo el rango de longitud de onda de 190 a 1100 nm como fuente de luz incidente.Las características de corriente-voltaje de los NUV-LED se analizaron a temperatura ambiente utilizando un analizador de parámetros Keithley 2601A y las características de potencia de salida óptica de los NUV-LED con FR4-PCB se analizaron utilizando una esfera integrada con un medidor de potencia calibrado.La rugosidad de la superficie de los reversos de zafiro preparados por lapeado en la suspensión con varios tamaños de diamante (1, 3 y 5 μm) y por CMP, se examinó mediante AFM y escaneo láser confocal.Cómo citar este artículo: Lee, KH, Moon, Y.-T., Song, J.-O.& Kwak, JS Interacción de la luz en reflectores omnidireccionales de triple capa de zafiro/MgF2/Al en diodos emisores de luz ultravioleta cercanos basados ​​en AlGaN.cienciaRep. 5, 9717;DOI:10.1038/srep09717 (2015).Khan, A., Balakrishnan, K. & Katona, T. 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